Ion-implantáció hatásainak vizsgálata Si-on és GaP-on ellipszometriával és ion-visszaszórásos spektometriával
Jogi megjegyzés: A kéziratos disszertációk csak a szerzői jogok maradéktalan tiszteletben tartásával használhatók, másolat kizárólag a szerző vagy jogutódja írásos engedélyével készíttethető.
Mentés helye:
| Szerző: | |
|---|---|
| Közreműködő(k): | |
| Formátum: | disszertáció |
| Nyelv: | magyar |
| Megjelenés: |
1986
|
| Tárgyszavak: | |
| Címkék: |
Új címke
A tételhez itt fűzhet saját címkét!
|
| LEADER | ntm a2200229 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 000797257 | ||
| 005 | 20130128101243.0 | ||
| 008 | 070310s1986 hu frm 000 0 hun d | ||
| 040 | |a ELTE |b hun | ||
| 041 | 0 | |a hun | |
| 100 | 1 | |a Fried Miklós | |
| 245 | 1 | 0 | |a Ion-implantáció hatásainak vizsgálata Si-on és GaP-on ellipszometriával és ion-visszaszórásos spektometriával |c [készítette] Fried Miklós ; témavezető Lohner Tivadar |
| 260 | |c 1986 | ||
| 300 | |a [2], 76 fol. |b ill. |c 30 cm | ||
| 502 | |a Egyetemi doktori disszertáció, Eötvös Loránd Tudományegyetem (Budapest), 1987 előtt | ||
| 540 | |a A kéziratos disszertációk csak a szerzői jogok maradéktalan tiszteletben tartásával használhatók, másolat kizárólag a szerző vagy jogutódja írásos engedélyével készíttethető. | ||
| 598 | |a doktori disszertáció | ||
| 650 | 0 | 4 | |a ion-implantáció |x ellipszometria |
| 650 | 0 | 4 | |a ion-implantáció |x spektrometria |
| 653 | |a doktori disszertáció | ||
| 700 | 1 | |a Lohner Tivadar |d 1947- |e témavezető | |
| 850 | |a B2 | ||
| 925 | |a Feltöltve | ||